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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      900

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      1100

      最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      5

      通道极性（xìng）：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET


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